SI1967DH-T1-BE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 4989 шт
Количество Цена
1 1 428 ₽
10 211 ₽
100 65 ₽
500 42 ₽
3000 30 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+4 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI1967DH-T1-BE3
  • Производитель
    VISHAY
SI1967DH-T1-BE3 от 30 рублей в наличии 4989 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI1967DH-T1-BE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -3А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SC70-6
  • Корпус
    SOT363
  • Рассеиваемая мощность
    1,25Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    4нC
  • Ток стока
    -1,3А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    790мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    -3А
  • Gate-source voltage
    ±8В
  • Вес
    0.016g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация