Каталог товаров

SI1967DH-T1-BE3

SI1967DH-T1-BE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 4959 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 373
10 203
100 62
500 40
3000 29
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 4 959 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI1967DH-T1-BE3

Производитель

Купить SI1967DH-T1-BE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI1967DH-T1-BE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -3А

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 790мОм
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -3А
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 1,25Вт
Выбрано: Показать
Заряд затвора 4нC
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Ток стока -1,3А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -20В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET x2
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±8В
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Корпус SC70-6
Выбрано: Показать
Корпус SOT363
Выбрано: Показать
Вес 0.016g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти