SI1922EDH-T1-BE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 3000
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SI1922EDH-T1-BE3
  • Производитель
    VISHAY
Вы можете запросить у нас любое количество SI1922EDH-T1-BE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI1922EDH-T1-BE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 1,2А; Idm: 4А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SC70-6
  • Корпус
    SC88
  • Корпус
    SOT363
  • Версия
    ESD
  • Рассеиваемая мощность
    1,25Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    2,5нC
  • Ток стока
    1,2А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    198мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Gate-source voltage
    ±8В
  • Вес
    0.014g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация