SI1902DL-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 146 шт
Количество Цена
1 141 ₽
10 88 ₽
100 57 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+8 баллов
SI1902DL-T1-GE3 от 57 рублей в наличии 146 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI1902DL-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 660мА; Idm: 1А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SC70
  • Рассеиваемая мощность
    270мВт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    800пC
  • Ток стока
    660мА
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    630мкОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±12В
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Вес
    0.01g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация