SI1902DL-T1-GE3

SI1902DL-T1-GE3
SI1902DL-T1-GE3
Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+23 балла
Вы можете запросить у нас любое количество SI1902DL-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI1902DL-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 660мА; Idm: 1А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Напряжение затвор-исток
    ±12В
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    TrenchFET®
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Ток стока в импульсном режиме
    1А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Gate-source voltage
    ±12V
  • Заряд затвора
    0,8нC
  • Ток стока
    0,66А
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,63Ом
  • Корпус
    SC70-6
  • Корпус
    SOT363
  • Рассеиваемая мощность
    0,27Вт
  • Вес
    0.01g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Каталог
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация