SI1016X-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+5 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество SI1016X-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI1016X-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N/P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N/P-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    1,5/0,75нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    20/-20В
  • Вид транзистора
    комплементарная пара
  • Ток стока
    0,515/-0,39А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    2,7/1,25Ом
  • Gate-source voltage
    ±6В
  • Корпус
    SC89
  • Корпус
    SOT563
  • Рассеиваемая мощность
    0,28Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация