SI1013X-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+4 балла
  • Условия
    Минимально 38 и кратно 38
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SI1013X-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Вы можете запросить у нас любое количество SI1013X-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI1013X-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT563
  • Корпус
    SC89
  • Рассеиваемая мощность
    0,275Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    1,5нC
  • Ток стока
    -400мА
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    2,7Ом
  • Ток стока в импульсном режиме
    -1А
  • Gate-source voltage
    ±6В
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация