SH8M51GZETB

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+17 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SH8M51GZETB
  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
Вы можете запросить у нас любое количество SH8M51GZETB, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SH8M51GZETB описание и характеристики

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 3/-2,5А; Idm: 10÷12А

  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    8,5/12,5нC
  • Корпус
    SOP8
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Напряжение сток-исток
    100/-100В
  • Полярность
    полевой
  • Рассеиваемая мощность
    2Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии
    190/340мОм
  • Тип транзистора
    N/P-MOSFET
  • Ток стока
    3/-2,5А
  • Ток стока в импульсном режиме
    10...12А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация