SH8KC6TB1

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 20 шт
Количество Цена
1 265 ₽
10 153 ₽
250 99 ₽
1000 82 ₽
5000 66 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+9 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SH8KC6TB1
  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
  • Техническое описание:
SH8KC6TB1 от 66 рублей в наличии 20 шт производства ROHM SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SH8KC6TB1 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 6,5А; Idm: 26А; 2Вт; SOP8

  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOP8
  • Рассеиваемая мощность
    2Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    7,6нC
  • Ток стока
    6,5А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    60В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    46мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    26А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация