SH8K26GZ0TB

SH8K26GZ0TB

нет в наличии

Количество	Цена
1	241 ₽
10	151 ₽
500	77 ₽
2500	63 ₽
7500	55 ₽

по запросу

Запросить

Условия

Минимально 1 и кратно 1

Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
SH8K26GZ0TB
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR

Вы можете запросить у нас любое количество SH8K26GZ0TB, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SH8K26GZ0TB описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 6А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8

Вы смотрели:

Подробнее

EEV226M010A9BAA

Подробнее

Подробнее

Подробнее

Подробнее

Похожие товары

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А

+114 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,073А; 0,08Вт; SC70-6

+33750 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363

+13095 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А

+1875 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В

+7500 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В

+4575 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 40/-40В

+16650 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

+42300 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

+1800 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

+21960 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; 1,3Вт; SO8

+14625 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

+26100 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text