SH8JB5TB1

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+31 балл
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SH8JB5TB1
  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
Вы можете запросить у нас любое количество SH8JB5TB1, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SH8JB5TB1 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -40В; -8,5А; Idm: -34А; 2Вт; SO8

  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    51нC
  • Корпус
    SO8
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Напряжение сток-исток
    -40В
  • Полярность
    полевой
  • Рассеиваемая мощность
    2Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии
    18,7мОм
  • Тип транзистора
    P-MOSFET x2
  • Ток стока
    -8,5А
  • Ток стока в импульсном режиме
    -34А
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Вид канала
    обогащенный
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация