Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

SH8J66TB1

SH8J66TB1

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 1604 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 863
10 517
100 283
500 222
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 1 604 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SH8J66TB1

Производитель

Техническое описание

Купить SH8J66TB1 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SH8J66TB1 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -9А; Idm: -36А; 2Вт; SO8

Производитель ROHM SEMICONDUCTOR
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус SO8
Выбрано: Показать
Версия ESD
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 2Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate
Выбрано: Показать
Заряд затвора 35нC
Выбрано: Показать
Ток стока -9А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -30В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET x2
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 24,7мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -36А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 0.1g

Похожие товары

Вы недавно смотрели

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти