Каталог товаров

SH8J31GZETB

SH8J31GZETB

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 998 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 474
10 306
100 210
500 167
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 998 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SH8J31GZETB

Производитель

Купить SH8J31GZETB от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SH8J31GZETB описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8

Производитель ROHM SEMICONDUCTOR
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус SO8
Выбрано: Показать
Версия ESD
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 2W
Выбрано: Показать
Полярность unipolar
Выбрано: Показать
Вид упаковки reel
Выбрано: Показать
Вид упаковки tape
Выбрано: Показать
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate
Выбрано: Показать
Заряд затвора 40nC
Выбрано: Показать
Ток стока -4.5A
Выбрано: Показать
Вид канала enhanced
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -60V
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET x2
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 85mΩ
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20V
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -18A
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 0.1g

Похожие товары

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти