RRS100P03HZGTB

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 970 шт
Количество Цена
1 1 843 ₽
10 483 ₽
100 256 ₽
500 199 ₽
2500 164 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+24 балла
RRS100P03HZGTB от 164 рублей в наличии 970 шт производства ROHM SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

RRS100P03HZGTB описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8

  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOP8
  • Версия
    ESD
  • Рассеиваемая мощность
    2Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    39нC
  • Ток стока
    -10А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -30В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    12,6мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -40А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация