RQ3E120BNTB

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 4780 шт
Количество Цена
223 60 ₽
300 50 ₽
500 48 ₽
1000 47 ₽
4000 46 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+6 баллов
  • Условия
    Минимально 223 и кратно 223
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    RQ3E120BNTB-ROH-0
  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
RQ3E120BNTB от 46 рублей в наличии 4780 шт производства ROHM SEMICONDUCTOR, купить от 223 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

RQ3E120BNTB-ROH-0 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; 30В; 12А; 2Вт; HSMT8

  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    HSMT8
  • Рассеиваемая мощность
    2Вт
  • Заряд затвора
    29нC
  • Ток стока
    12А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    9,3мОм
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.061g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация