RF4E100AJTCR

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2780 шт
Количество Цена
1 214 ₽
10 138 ₽
500 78 ₽
3000 63 ₽
9000 56 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+8 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    RF4E100AJTCR
  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
  • Техническое описание:
RF4E100AJTCR от 56 рублей в наличии 2780 шт производства ROHM SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

RF4E100AJTCR описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S

  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    DFN2020-8S
  • Рассеиваемая мощность
    2Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    13нC
  • Ток стока
    10А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    12,4мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±12В
  • Ток стока в импульсном режиме
    36А
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация