RD3G01BATTL1

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 22483 шт
Количество Цена
1 286 ₽
10 184 ₽
100 130 ₽
1000 94 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+14 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    RD3G01BATTL1
  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
RD3G01BATTL1 от 94 рублей в наличии 22483 шт производства ROHM SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

RD3G01BATTL1 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -15А; Idm: -30А; 25Вт

  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    DPAK
  • Корпус
    TO252
  • Рассеиваемая мощность
    25Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    19,3нC
  • Ток стока
    -15А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -40В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    49мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -30А
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация