PMT200EPEX

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+5 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество PMT200EPEX, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

PMT200EPEX описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -70В; -1,5А; Idm: -9,7А

  • Производитель
    NEXPERIA
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SC73
  • Корпус
    SOT223
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    Trench
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    15,9нC
  • Ток стока
    -1,5А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -70В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    250мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -9,7А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация