Каталог товаров

PMDXB1200UPEZ

  • всего в наличии: 130 шт
Количество Цена ₽ /шт
5 164
100 70
Добавить 5 шт. на ₽
В корзину
От 5 шт.
Доступно 130 шт.

Условия

  • Минимально 5 и кратно 5
  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

PMDXB1200UPEZ

Производитель

Техническое описание

Купить PMDXB1200UPEZ от 5 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

PMDXB1200UPEZ описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -30В; -260мА; Idm: -1,7А

Производитель NEXPERIA
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус SOT1216
Выбрано: Показать
Корпус DFN1010B-6
Выбрано: Показать
Версия ESD
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Технология Trench
Выбрано: Показать
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate
Выбрано: Показать
Заряд затвора 1,2нC
Выбрано: Показать
Ток стока -260мА
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -30В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET x2
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 2,4Ом
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±8В
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -1,7А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±8V
Выбрано: Показать
Вес 0.1g

Вы недавно смотрели

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти