PMDPB58UPE,115 от 22 рублей Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -2,3А; Idm: -14,4А производства NEXPERIA PMDPB58UPE.115

Каталог товаров

Показать все результаты

Вы недавно смотрели

Производитель	NEXPERIA	Выбрано: Показать
Монтаж	SMD	Выбрано: Показать
Корпус	DFN2020-6	Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии	95мОм	Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток	±8В	Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме	-14,4А	Выбрано: Показать
Заряд затвора	9,5нC	Выбрано: Показать
Полярность	полевой	Выбрано: Показать
Технология	Trench	Выбрано: Показать
Характеристики полупроводниковых элементов	ESD protected gate	Выбрано: Показать
Ток стока	-2,3А	Выбрано: Показать
Вид канала	обогащенный	Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток	-20В	Выбрано: Показать
Тип транзистора	P-MOSFET x2	Выбрано: Показать
Вид упаковки	бобина	Выбрано: Показать
Вид упаковки	лента	Выбрано: Показать
Версия	ESD	Выбрано: Показать
Gate-source voltage	±8V	Выбрано: Показать
Корпус	HUSON6	Выбрано: Показать
Корпус	SOT1118	Выбрано: Показать
Вес	0.1g