NTBG1000N170M1

NTBG1000N170M1

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.

нет в наличии

Количество	Цена
1	879 ₽
10	616 ₽
100	511 ₽
500	466 ₽
800	419 ₽

по запросу

Запросить

Условия

Минимально 1 и кратно 1

Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
NTBG1000N170M1
Производитель
ONSEMI

Вы можете запросить у нас любое количество NTBG1000N170M1, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

NTBG1000N170M1 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 14.6A; 25W

Похожие товары

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,8А; 0,2Вт; SOT23

+49950 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,21А; 0,3Вт; SOT23

+8685 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; SOT23-3

+45450 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,2Вт; SOT23

+118800 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,245А; Idm: 1,2А; 1,2Вт

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А

+1365 баллов

Подробнее

2N7002DWH6327XTSA1

2N7002DWH6327XTSA1

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363

+7200 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 0,37Вт; SOT23

+5670 баллов

Подробнее

2N7002H6327XTSA2

2N7002H6327XTSA2

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT23

+3690 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

+9675 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,31А; 0,3Вт; SOT323

+30150 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,225Вт; SOT23

+16650 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text