NTBG028N170M1

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+791 балл
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    NTBG028N170M1
  • Производитель
    ONSEMI
Вы можете запросить у нас любое количество NTBG028N170M1, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

NTBG028N170M1 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 53A; Idm: 195A; 214W

  • Производитель
    ONSEMI
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK-7
  • Рассеиваемая мощность
    214Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    SiC
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    вывод Кельвина
  • Заряд затвора
    222нC
  • Ток стока
    53А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    1,7кВ
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    57мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    195А
  • Gate-source voltage
    -5...20В
  • Вес
    1.5g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация