NCP5111DR2G
Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии
5233 шт
| Количество | Цена |
|---|---|
| 1 | 214 ₽ |
| 10 | 154 ₽ |
| 100 | 123 ₽ |
| 500 | 111 ₽ |
| 2500 | 103 ₽ |
+
-
Бесплатная доставка
-
УсловияМинимально 1 и кратно 1Срок поставки 4-6 недель
Цена включает НДС -
АртикулNCP5111DR2G
-
ПроизводительONSEMI
-
Техническое описание:
NCP5111DR2G от 103 рублей в наличии 5233 шт производства ONSEMI, купить от 1 шт можно 
банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.
банковской картой или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.
NCP5111DR2G описание и характеристики
IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2
Вы смотрели:
