NCP5111DR2G

всего в наличии 5393 шт
Количество Цена
1 404 ₽
10 252 ₽
25 212 ₽
100 167 ₽
500 131 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+19 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    NCP5111DR2G
  • Производитель
    ONSEMI
NCP5111DR2G от 131 рублей в наличии 5393 шт производства ONSEMI, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

NCP5111DR2G описание и характеристики

IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2

  • Производитель
    ONSEMI
  • Монтаж
    SMD
  • Рабочая температура
    -40...125°C
  • Корпус
    SO8
  • Напряжение питания
    10...20В DC
  • Защита
    от снижения напряжения
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Тип микросхемы
    driver
  • Выходной ток
    -500...250мА
  • Класс напряжения
    600В
  • Вид микросхемы
    high-/low-side
  • Вид микросхемы
    контроллер затвора
  • Кол-во каналов
    2
  • Топология
    полумост IGBT
  • Топология
    полумост MOSFET
  • Время падения импульса
    75нс
  • Время нарастания импульса
    160нс
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация