MXP120A080FE-T1GE3

MXP120A080FE-T1GE3
MXP120A080FE-T1GE3
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество MXP120A080FE-T1GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

MXP120A080FE-T1GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19A; Idm: 60A; 56W

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TO263-7
  • Рассеиваемая мощность
    56Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    SiC
  • Технология
    MaxSiC™
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    вывод Кельвина
  • Заряд затвора
    47,3нC
  • Ток стока
    19А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    1,2кВ
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,175Ом
  • Ток стока в импульсном режиме
    60А
  • Gate-source voltage
    -5...20В
  • Вес
    2g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text