Каталог товаров

MJD112-1G

MJD112-1G
MJD112-1G
  • MJD112-1G
  • MJD112-1G

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 123 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 258
10 120
25 113
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 123 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

MJD112-1G

Производитель

Техническое описание

Купить MJD112-1G от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

MJD112-1G описание и характеристики

Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK

Производитель ONSEMI
Выбрано: Показать
Монтаж THT
Выбрано: Показать
Корпус IPAK
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 1.75W
Выбрано: Показать
Полярность bipolar
Выбрано: Показать
Тип транзистора NPN
Выбрано: Показать
Напряжение коллектор-эмиттер 100V
Выбрано: Показать
Коэффициент усиления по току 100...12000
Выбрано: Показать
Ток коллектора 2A
Выбрано: Показать
Вид транзистора Darlington
Выбрано: Показать
Вес 0.406g

Похожие товары

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти