LGE3M60065Q

нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    LGE3M60065Q
  • Производитель
    LUGUANG ELECTRONIC
Вы можете запросить у нас любое количество LGE3M60065Q, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.

LGE3M60065Q описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 36A; Idm: 97A; 208W

  • Производитель
    LUGUANG ELECTRONIC
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    TO247-4
  • Рассеиваемая мощность
    208W
  • Полярность
    unipolar
  • Вид упаковки
    tube
  • Технология
    SiC
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    Kelvin terminal
  • Заряд затвора
    78nC
  • Ток стока
    36A
  • Вид канала
    enhanced
  • Напряжение сток-исток
    650V
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    75mΩ
  • Ток стока в импульсном режиме
    97A
  • Gate-source voltage
    -4...18V
  • Вес
    3g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация