LGE3M50120B

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество LGE3M50120B, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

LGE3M50120B описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 145A; 327W

  • Производитель
    LUGUANG ELECTRONIC
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    TO247-3
  • Рассеиваемая мощность
    327W
  • Полярность
    unipolar
  • Вид упаковки
    tube
  • Технология
    SiC
  • Заряд затвора
    0.12µC
  • Ток стока
    43A
  • Вид канала
    enhanced
  • Напряжение сток-исток
    1.2kV
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    80mΩ
  • Ток стока в импульсном режиме
    145A
  • Gate-source voltage
    -5...20V
  • Вес
    3g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация