Каталог товаров

IXTN200N10L2

IXTN200N10L2

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 2131 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 11 210
10 8 523
50 7 634
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 2 131 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

IXTN200N10L2

Производитель

Техническое описание

Купить IXTN200N10L2 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

IXTN200N10L2 описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; Ugs: ±30В; 830Вт

Производитель IXYS
Выбрано: Показать
Механический монтаж винтами
Выбрано: Показать
Электрический монтаж винтами
Выбрано: Показать
Корпус SOT227B
Выбрано: Показать
Тип модуля полевой МОП-транзистор
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 830Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Конструкция диода одиночный транзистор
Выбрано: Показать
Технология Linear L2™
Выбрано: Показать
Заряд затвора 540нC
Выбрано: Показать
Ток стока 178А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 100В
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 11мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±30В
Выбрано: Показать
Время готовности 245нс
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 500А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±30V
Выбрано: Показать
Тип полупроводникового модуля MOSFET транзистор
Выбрано: Показать
Вес 29.6g

Похожие товары

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти