Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

IXFN210N30P3

IXFN210N30P3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 207 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 9 791
10 7 415
100 6 569
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 207 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

IXFN210N30P3

Производитель

Техническое описание

Купить IXFN210N30P3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

IXFN210N30P3 описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; 300В; 192А; SOT227B; Ugs: ±30В; 268нC

Производитель IXYS
Выбрано: Показать
Механический монтаж винтами
Выбрано: Показать
Электрический монтаж винтами
Выбрано: Показать
Корпус SOT227B
Выбрано: Показать
Тип модуля полевой МОП-транзистор
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 1,5кВт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Конструкция диода одиночный транзистор
Выбрано: Показать
Технология HiPerFET™
Выбрано: Показать
Технология Polar3™
Выбрано: Показать
Заряд затвора 268нC
Выбрано: Показать
Ток стока 192А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 300В
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 14,5мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±30В
Выбрано: Показать
Время готовности 250нс
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 550А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±30V
Выбрано: Показать
Тип полупроводникового модуля MOSFET транзистор
Выбрано: Показать
Вес 37.05g

Похожие товары

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти