Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

IXFN210N20P

IXFN210N20P

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 121 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 9 453
10 7 523
50 6 673
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 121 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

IXFN210N20P

Производитель

Техническое описание

Купить IXFN210N20P от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

IXFN210N20P описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; 200В; 188А; SOT227B; Ugs: ±30В; 255нC

Производитель IXYS
Выбрано: Показать
Механический монтаж винтами
Выбрано: Показать
Электрический монтаж винтами
Выбрано: Показать
Корпус SOT227B
Выбрано: Показать
Тип модуля полевой МОП-транзистор
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 1,07кВт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Конструкция диода одиночный транзистор
Выбрано: Показать
Технология HiPerFET™
Выбрано: Показать
Технология Polar™
Выбрано: Показать
Заряд затвора 255нC
Выбрано: Показать
Ток стока 188А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 200В
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 10,5мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±30В
Выбрано: Показать
Время готовности 200нс
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 600А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±30V
Выбрано: Показать
Тип полупроводникового модуля MOSFET транзистор
Выбрано: Показать
Вес 37.01g

Похожие товары

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти