Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

IXFN20N120P

IXFN20N120P

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 7 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 2 997
3 2 858
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 7 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

IXFN20N120P

Производитель

Техническое описание

Купить IXFN20N120P от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

IXFN20N120P описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 20А; SOT227B; Ugs: ±40В; 595Вт

Производитель IXYS
Выбрано: Показать
Механический монтаж винтами
Выбрано: Показать
Электрический монтаж винтами
Выбрано: Показать
Корпус SOT227B
Выбрано: Показать
Тип модуля полевой МОП-транзистор
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 595Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Конструкция диода одиночный транзистор
Выбрано: Показать
Технология HiPerFET™
Выбрано: Показать
Технология Polar™
Выбрано: Показать
Заряд затвора 193нC
Выбрано: Показать
Ток стока 20А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 1,2кВ
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 570мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±40В
Выбрано: Показать
Время готовности 300нс
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 50А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±40В
Выбрано: Показать
Тип полупроводникового модуля MOSFET транзистор
Выбрано: Показать
Вес 37.11g

Похожие товары

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти