IXD2012NTR

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 2500
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    IXD2012NTR
  • Производитель
    IXYS
Вы можете запросить у нас любое количество IXD2012NTR, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

IXD2012NTR описание и характеристики

IC: driver; H-bridge; half-bridge; SOIC8; 2.3A; Ch: 2; MOSFET; 10÷20V

  • Производитель
    IXYS
  • Корпус
    SOIC8
  • Монтаж
    SMD
  • Топология
    Н мост
  • Рабочая температура
    -40...125°C
  • Время нарастания импульса
    30нс
  • Время падения импульса
    20нс
  • Рассеиваемая мощность
    0,625Вт
  • Выходной ток
    2,3А
  • Кол-во каналов
    2
  • Ток выхода макс.
    2,3А
  • Напряжение питания
    10...20В
  • Тип микросхемы
    driver
  • Вид микросхемы
    полумост
  • Характеристики интегральных схем
    MOSFET
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация