IRFD113PBF

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+26 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество IRFD113PBF, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

IRFD113PBF описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    HVMDIP
  • Рассеиваемая мощность
    1Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    туба
  • Заряд затвора
    7нC
  • Ток стока
    0,8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    60В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,8Ом
  • Ток стока в импульсном режиме
    6,4А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    0.3g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация