Каталог товаров

IPD80R900P7ATMA1

IPD80R900P7ATMA1

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 2453 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 356
10 189
50 161
100 149
1000 117
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 2 453 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

IPD80R900P7

Производитель

Техническое описание

Купить IPD80R900P7ATMA1 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

IPD80R900P7 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3

Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 45Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Технология CoolMOS™ P7
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0,9Ом
Выбрано: Показать
Корпус PG-TO252-3
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 800В
Выбрано: Показать
Ток стока 3,9А
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Заряд затвора 15нC
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate
Выбрано: Показать
Версия ESD
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 0.025g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти