Каталог товаров

IPB180N06S4H1ATMA2

  • всего в наличии: 264 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 2 214
10 756
100 461
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 264 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

IPB180N06S4H1ATMA2

Производитель

Купить IPB180N06S4H1ATMA2 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

IPB180N06S4H1ATMA2 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 180А; Idm: 720А

Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 1,7мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Корпус PG-TO263-7-3
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 250Вт
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 720А
Выбрано: Показать
Ток стока 180А
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 60В
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Технология OptiMOS® -T2
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 0.025g

Вы недавно смотрели

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти