IPB039N10N3 G

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 281 шт
Количество Цена
25 614 ₽
30 503 ₽
50 481 ₽
100 465 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+69 баллов
  • Условия
    Минимально 25 и кратно 25
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    IPB039N10N3G-INF-0
  • Производитель
    INFINEON TECHNOLOGIES
IPB039N10N3 G от 465 рублей в наличии 281 шт производства INFINEON TECHNOLOGIES, купить от 25 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

IPB039N10N3G-INF-0 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; 100В; 160А; Idm: 640А; 214Вт; TO263-7

  • Производитель
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TO263-7
  • Рассеиваемая мощность
    214Вт
  • Применение
    автомобильная отрасль
  • Технология
    OptiMOS™
  • Заряд затвора
    88нC
  • Ток стока
    160А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    3,9мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    640А
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    1.8g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация