Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

IMW65R027M1HXKSA1

IMW65R027M1HXKSA1

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 529 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 2 836
30 1 733
120 1 491
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 529 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

IMW65R027M1HXKSA1

Производитель

Купить IMW65R027M1HXKSA1 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

IMW65R027M1HXKSA1 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 39А; Idm: 185А; 189Вт

Производитель INFINEON TECHNOLOGIES
Выбрано: Показать
Монтаж THT
Выбрано: Показать
Корпус TO247
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 189Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки туба
Выбрано: Показать
Технология SiC
Выбрано: Показать
Технология CoolSiC™
Выбрано: Показать
Ток стока 39А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 650В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 35мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток -5...23В
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 185А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage -5...23В
Выбрано: Показать
Вес 6.5g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти