IMBG65R039M1HXTMA1

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 682 шт
Количество Цена
1 1 852 ₽
10 1 347 ₽
100 1 122 ₽
500 1 000 ₽
1000 935 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+140 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    IMBG65R039M1HXTM-0
  • Производитель
    INFINEON TECHNOLOGIES
IMBG65R039M1HXTMA1 от 935 рублей в наличии 682 шт производства INFINEON TECHNOLOGIES, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

IMBG65R039M1HXTM-0 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 54A; 211W; D2PAK-7

  • Производитель
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK-7
  • Рассеиваемая мощность
    211Вт
  • Полярность
    N
  • Заряд затвора
    41нC
  • Ток стока
    54А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    650В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    39мОм
  • Gate-source voltage
    -5...23В
  • Вес
    1.8g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация