GT800N10I

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2318 шт
Количество Цена
1 72 ₽
100 28 ₽
1000 18.3 ₽
6000 14 ₽
15000 12.3 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+1 балл
GT800N10I от 12.3 рублей в наличии 2318 шт производства GOFORD SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GT800N10I-GFS описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 3.4A; Idm: 13.6A; 1.7W

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Вид канала
    обогащенный
  • Полярность
    полевой
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Ток стока
    3,4А
  • Заряд затвора
    5нC
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,1Ом
  • Рассеиваемая мощность
    1,7Вт
  • Ток стока в импульсном режиме
    13,6А
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Корпус
    SOT23
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Технология
    Trench
  • Монтаж
    SMD
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация