GT250P10M

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество GT250P10M, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

GT250P10M-GFS описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -100V; -56A; 173.6W; TO263

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Технология
    SGT
  • Полярность
    полевой
  • Напряжение сток-исток
    -100В
  • Ток стока
    -56А
  • Рассеиваемая мощность
    173,6Вт
  • Корпус
    TO263
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    73нC
  • Вид канала
    обогащенный
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация