GT1K2N10I

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2198 шт
Количество Цена
1 64 ₽
100 24.4 ₽
1000 16 ₽
6000 12 ₽
15000 10.7 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+1 балл
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GT1K2N10I-GFS
  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
GT1K2N10I от 10.7 рублей в наличии 2198 шт производства GOFORD SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GT1K2N10I-GFS описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 3.3A; 1.6W; SOT23

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Технология
    SGT
  • Полярность
    полевой
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Ток стока
    3,3А
  • Рассеиваемая мощность
    1,6Вт
  • Корпус
    SOT23
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    4,2нC
  • Вид канала
    обогащенный
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация