GT110N06SH

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 48 шт
Количество Цена
1 196 ₽
10 123 ₽
500 62 ₽
2000 51 ₽
8000 44 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+6 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GT110N06SH-GFS
  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
GT110N06SH от 44 рублей в наличии 48 шт производства GOFORD SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GT110N06SH-GFS описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 12A; 3W; SOP8

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Технология
    Trench
  • Полярность
    полевой
  • Напряжение сток-исток
    60В
  • Ток стока
    12А
  • Рассеиваемая мощность
    3Вт
  • Корпус
    SOP8
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    17нC
  • Вид канала
    обогащенный
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация