GT042P06T

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество GT042P06T, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

GT042P06T-GFS описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; -160A; Idm: -640A; 280W

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Технология
    Trench
  • Полярность
    полевой
  • Напряжение сток-исток
    60В
  • Ток стока
    -160А
  • Рассеиваемая мощность
    280Вт
  • Корпус
    TO220
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Монтаж
    THT
  • Заряд затвора
    305нC
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    4,5мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    -640А
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация