GT035N10T

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 56 шт
Количество Цена
1 783 ₽
50 399 ₽
100 362 ₽
500 296 ₽
1000 275 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+41 балл
GT035N10T от 275 рублей в наличии 56 шт производства GOFORD SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GT035N10T-GFS описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 190A; Idm: 760A; 250W

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    TO220
  • Рассеиваемая мощность
    250Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    Trench
  • Заряд затвора
    68нC
  • Ток стока
    190А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    3,5мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    760А
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация