GT035N10Q

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 17 шт
Количество Цена
1 855 ₽
30 474 ₽
120 390 ₽
510 328 ₽
1020 305 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+45 баллов
GT035N10Q от 305 рублей в наличии 17 шт производства GOFORD SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GT035N10Q-GFS описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 190A; Idm: 760A; 250W

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    TO247
  • Рассеиваемая мощность
    250Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    Trench
  • Заряд затвора
    68нC
  • Ток стока
    190А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    3,5мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    760А
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация