GT023N10T

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 183 шт
Количество Цена
1 877 ₽
50 451 ₽
100 410 ₽
500 338 ₽
1000 315 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+47 баллов
GT023N10T от 315 рублей в наличии 183 шт производства GOFORD SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GT023N10T-GFS описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 226A; 250W; TO220

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    TO220
  • Рассеиваемая мощность
    250Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    SGT
  • Заряд затвора
    137нC
  • Ток стока
    226А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация