GT023N10Q

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество GT023N10Q, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

GT023N10Q-GFS описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 226A; 250W; TO247

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    TO247
  • Рассеиваемая мощность
    250Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    SGT
  • Заряд затвора
    121нC
  • Ток стока
    226А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация