GT023N10M

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 792 шт
Количество Цена
1 899 ₽
10 598 ₽
100 427 ₽
800 362 ₽
1600 339 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+50 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GT023N10M-GFS
  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
GT023N10M от 339 рублей в наличии 792 шт производства GOFORD SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GT023N10M-GFS описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 226A; 265W; TO263

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TO263
  • Рассеиваемая мощность
    265Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    SGT
  • Заряд затвора
    137нC
  • Ток стока
    226А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация