GT011N03TE

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество GT011N03TE, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

GT011N03TE-GFS описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 30V; 209A; 89W; TO220; ESD

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Технология
    SGT
  • Полярность
    полевой
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Ток стока
    209А
  • Рассеиваемая мощность
    89Вт
  • Корпус
    TO220
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Монтаж
    THT
  • Заряд затвора
    98нC
  • Вид канала
    обогащенный
  • Версия
    ESD
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация