GAN3R2-100CBEAZ

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 1599 шт
Количество Цена
1 845 ₽
10 559 ₽
100 397 ₽
500 370 ₽
1500 302 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+45 баллов
GAN3R2-100CBEAZ от 302 рублей в наличии 1599 шт производства NEXPERIA, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GAN3R2-100CBEAZ описание и характеристики

Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 100V; 60A; Idm: 230A; 394W

  • Производитель
    NEXPERIA
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    WLCSP8
  • Рассеиваемая мощность
    394W
  • Полярность
    unipolar
  • Вид упаковки
    tape
  • Технология
    GaN
  • Заряд затвора
    12nC
  • Ток стока
    60A
  • Вид канала
    enhanced
  • Напряжение сток-исток
    100V
  • Тип транзистора
    N-JFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    3.2mΩ
  • Вид транзистора
    HEMT
  • Ток стока в импульсном режиме
    230A
  • Gate-source voltage
    -4...6V
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация