Каталог товаров

GAN190-650EBEZ

  • всего в наличии: 899 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 2 348
10 861
50 605
100 542
500 487
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 899 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

GAN190-650EBEZ

Производитель

Техническое описание

Купить GAN190-650EBEZ от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

GAN190-650EBEZ описание и характеристики

Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A

Производитель NEXPERIA
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус DFN8080-8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 125W
Выбрано: Показать
Полярность unipolar
Выбрано: Показать
Вид упаковки tape
Выбрано: Показать
Технология GaN
Выбрано: Показать
Характеристики полупроводниковых элементов Kelvin terminal
Выбрано: Показать
Заряд затвора 2.8nC
Выбрано: Показать
Ток стока 11.5A
Выбрано: Показать
Вид канала enhanced
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 650V
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-JFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0.19Ω
Выбрано: Показать
Вид транзистора HEMT
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 20.5A
Выбрано: Показать
Gate-source voltage -1.4...7V
Выбрано: Показать
Вес 1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти